三星推出9.8Gbps速率的HBM3E内存,计划于2025年推出HBM4

潘金金 2023-10-12 阅读:1001448 评论:0
根据三星官方博客的消息,针对高性能计算(HPC),三星正迈出新的一步,开发了9.8Gbps速率的HBM3E内存产品,并已开始向客户提供样品。此外,三星还计划在2025年前推出HBM4内存。为实现这一目标,他们正在准备优化高温热特性的NCF组...

根据三星官方博客的消息,针对高性能计算(HPC),三星正迈出新的一步,开发了9.8Gbps速

率的HBM3E内存产品,并已开始向客户提供样品。

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此外,三星还计划在2025年前推出HBM4内存。为实现这一目标,他们正在准备优化高温热特性

的NCF组装技术和HCB技术。

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值得注意的是,NCF(非导电薄膜)用于保护积层芯片之间的固态连接,以防止受到绝缘和机械

冲击的影响。而HCB(混合铜粘接)则作为一种新一代粘接技术,采用铜(导电材料)和氧化膜

(绝缘材料)的粘接方式,而非传统的焊接方法。


今年初,三星成立了高级封装业务团队(AVP),旨在加强先进的封装技术,并最大程度地发挥

各业务部门之间的协同作用。三星计划提供尖端的定制封装服务,包括2.5D和3D封装解决方案,

与HBM内存一同提供。


随着高端CPU在AI服务中需要100多个核心,每个核心都需要足够的内存,因此在封装内加载更

多容量变得至关重要。通过优化DRAM单芯片尺寸的工艺技术,以及正确放置组件并确保其按规

格运行的设计技术,可以在有限的封装空间内实现这一目标。


三星不久前发布了32Gb DDR5 DRAM内存,通过相同封装尺寸的架构改进,实现了16Gb 

DRAM容量的翻倍,从而制造了128GB模块,而无需采用TSV工艺。这不仅降低了成本和提高了

生产效率,还降低了功耗,达到了10%的降低。


TSV(硅通孔)是一种封装技术,通过该技术,可以使芯片变薄,创建数百个小孔,并连接垂直

穿过顶部和底部芯片中的孔的电极。


最后,三星官方在博客中表示,他们将继续克服技术限制,开发出前所未有的多种内存解决方案

产品。特别是,他们计划基于10纳米以下工艺,开发出适用于AI时代的超高性能、超高容量、超

低功耗的存储器产品,这将成为DRAM市场的重大里程碑。


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